SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

本站 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。

相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。

正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会下降。

SK 海力士再次确认，根据截至今年底的生产能力，目前该企业已经完成了对 2025 年 HBM 内存产能的分配；

三星电子方面则称自身 HBM 订单情况和对手大致相同，也已售罄，并预估明年不会出现 HBM 内存供过于求的情况。

三星电子代表确认该公司 HBM4 内存计划于明年完成开发，2026 年实现量产，并表示三星电子计划在 HBM4 内存中开始应用混合键合。

本站稍早前的报道中提到，SK 海力士认为其在 HBM4 上就应用混合键合的可能性不大，持有同三星电子不一致的观点。

此外，两家企业均对企业级固态硬盘市场持乐观态度，三星电子方面的代表认为相关需求的增长将是长期趋势。

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