机构：2025年HBM出货量将同比增长70%

市场研究机构TechInsights最新报告预测，2025年DRAM和NAND闪存组成的存储器市场将迎来强劲增长，这主要归功于人工智能（AI）技术的快速发展及其在各领域的广泛应用。

报告指出，AI，尤其是机器学习和深度学习等数据密集型应用的兴起，正驱动着对高带宽内存（HBM）的需求激增。预计2025年HBM出货量将同比增长70%，因为数据中心和AI处理器越来越依赖HBM来处理海量低延迟数据。HBM需求的爆发式增长将深刻改变DRAM市场格局，厂商将优先生产HBM，而非传统DRAM产品。

此外，TechInsights预测，受AI应用驱动，2025年内存市场资本支出（capex）将更多地流向DRAM，特别是HBM领域。为满足不断增长的需求，DRAM厂商将扩大产能，预计DRAM资本支出同比增长近20%。然而，这种转变也可能导致对NAND闪存投资减少，从而在市场上形成潜在的供应短缺。虽然NAND闪存领域的盈利能力持续提升，但预计这一领域的投资热潮可能要到2026年才会重新燃起。

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