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捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布

admin数码00

江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的igbt结构及制备方法”的专利(申请公布号:cn118969825a),申请公布日为2024年11月15日。

捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布-第1张图片-海印网

该专利属于半导体技术领域,尤其关注IGBT器件的结构和制备工艺。其核心在于一种创新的纵向变掺杂IGBT结构,该结构包含:第一导电类型的半导体衬底;衬底正面设置的元胞区;以及衬底背面与集电极结构之间的过渡区。 过渡区由电场缓变层和场截止层构成,其中电场缓变层为第一导电类型的变掺杂层,场截止层为第一导电类型的重掺杂层,集电极结构则位于场截止层背面。 这种设计旨在有效避免因后续电场抬高而导致的器件失效问题。

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Tags: 结构衬底

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