2025 年度 IEEE ISSCC 学术会议日程公布，三星将介绍 4XX 层 3D NAND

1. 包括英特尔 CEO 帕特・基辛格、三星电子 DS 部存储器业务总裁兼总经理李祯培在内的四位业内人士将在 17 日的全体会议上发表演讲。

重写：

包括英特尔首席执行官帕特·基辛格和三星电子存储器业务总裁兼总经理李祯培在内的四位行业专家将在 17 日的全体会议上发表演讲。

2. 帕特・基辛格将介绍 AI 领域各层级的一系列技术，李祯培则将聚焦各类 AI 存储器及其发展。

重写：

基辛格将探讨人工智能各个层面的技术，而李祯培将重点关注人工智能存储器及其演进。

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在具体会议日程中，SRAM、非易失性存储和 DRAM 专题均安排在 2 月 19 日举办。

值得关注的是，台积电将介绍存储密度达到 38.1 Mb/mm2 的 2nm Nanosheet 制程 SRAM。此外，英特尔也将展示采用 BSPDN 背面供电设计的 Intel 18A RibbonFET 工艺高密度 SRAM。

非易失性存储

• 三星电子：28Gb / mm² 密度、4XX 层堆叠、1Tb 容量 3D TLC NAND，采用晶圆键合技术，I/O 引脚速率 5.6Gb/s。
• 铠侠-西部数据联盟：I/O 引脚速率 4.8Gb/s 的 1Tb 3D TLC NAND，读取操作能效提升 29%。
• SK 海力士：75MB/s 编程吞吐量、321 层（V9）2Tb QLC NAND。
• SK 海力士和铠侠：合作开发的 64Gb DDR4 STT-MRAM，采用交叉点存储和磁隧道节结构。

DRAM

• 三星电子：42.5Gbps 的 24Gb GDDR7 产品。
• 三星电子：第 5 代 10nm 级（1bnm、12nm 级）工艺的超高速 16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，I/O 引脚速率 12.7Gb/s。